芯片的三种封装结构：正装、垂直、倒装工艺解析

据了解，目前LED芯片结构主要有：正装、倒装、垂直三种流派，其中正装结构因低价优势而占据主要市场。然而，随着输出功率的不断提高，制约大功率LED发展的光衰较大等问题相继涌现。

正装结构由于p，n电极在LED同一侧，容易出现电流拥挤现象，并且由于蓝宝石衬底导热性差，严重阻碍了热量的散失。在长时间使用过程中，因为散热不好而导致的高温，影响到硅胶的性能和透过率，从而造成较大的光输出功率衰减。

相较于正装LED，垂直芯片结构采用高热导率的衬底（Si、Ge和Cu等衬底）取代蓝宝石衬底，在很大程度上提高散热效率；垂直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧，通过n电极，使得电流几乎全部垂直流过LED外延层，横向流动的电流极少，可以避免局部高温。但是目前垂直结构制备工艺中，蓝宝石剥离工艺较难，制约了产业化发展进程。

而倒装技术可以细分为两类，一类是在蓝宝石芯片基础上倒装，蓝宝石衬底保留，利于散热，但是电流密度提升并不明显；另一类是倒装结构并剥离了衬底材料，可以大幅度提升电流密度。

倒装技术最早出现于2007年，由封装公司首先进行产品运用，并最先运用在照明领域。而倒装芯片之所以被称为“倒装”则是相对于传统的金属线键合连接方式（Wire Bonding）与植球后的工艺而言的。传统的通过金属线键合与基板连接的芯片电气面朝上，而倒装芯片的电气面朝下，相当于将前者翻转过来，故称其为“倒装芯片”。

由于P型GaN传导性能不佳，为获得良好的电流扩展，需要通过蒸镀技术在P区表面形成一层Ni-Au组成的金属电极层。P区引线通过该层金属薄膜引出。为获得好的电流扩展，Ni-Au金属电极层就不能太薄。为此，器件的发光效率就会受到很大影响，通常要同时兼顾电流扩展与出光效率二个因素。但无论在什麼情况下，金属薄膜的存在，总会使透光性能变差。此外，引线焊点的存在也使器件的出光效率受到影响。采用GaNLED倒装芯片的结构可以从根本上消除上面的问题。

近年来，随着LED芯片价格和毛利率的下跌，LED芯片投资回报率逐渐降低，国外LED芯片大厂扩产趋于谨慎，国外芯片供给增长有限，国内厂商借助地方政府的支持政策，依靠资金、规模等方面的优势积极扩产，全球LED芯片产能逐渐向中国大陆转移。对于LED芯片企业而言，扩产可抢占规模化优势，利用大规模制造降低生产成本，因而在2017年各大LED芯片厂商纷纷购买设备扩大生产规模。然而，这也导致LED芯片行业竞争越发激烈。但LED芯片的制造技术和对应的封装技术共同决定了LED未来的应用前景，因此，发展倒装LED芯片必将成为了大势所趋。

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